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Cadence 发布面向 TSMC 3nm 工艺的 112G-ELR SerDes IP 展示

发表时间: 2024-01-02 作者: 乐球吧nba在线直播

  3nm 时代来临了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技术研讨会期间发布了面向台积电 3nm 工艺(N3E)的 112G 超长距离(112G-ELR)SerDes IP 展示,这是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列新产品的新成员。在后摩尔时代的趋势下,FinFET 晶体管的体积在 TSMC 3nm 工艺下进一步缩小,进一步采用系统级封装设计(SiP)。通过结合工艺技术的优势与 Cadence 业界领先的数字信号处理(DSP)SerDes 架构,全新的 112G-ELR SerDes IP 能支持 45dB 插入损耗,拥有卓越的功耗、性能、面积(PPA)指标,是超大规模 ASICs,人工智能/机器学习(AI/ML)加速器,交换矩阵片上系统(SoCs)和 5G 基础设施应用的理想选择。

  ELR SerDes PHY 符合 IEEE 和 OIF 长距离(LR)标准,在基础规格之外提供了额外的性能裕度。上方图片展示了三个张大的眼图,它们在 PAM4 模式下拥有非常良好的对称性,将四个信号电平分开。3nm 演示展示了 E-10 级的卓越误码率(BER)性能以及 39dB bump 间通道,与 28dB Ball 间插损误码率小于 1E-4 的标准规格相比提供了充足的性能余量。

  112G-ELR SerDes IP 同时支持中距离(MR)和超短距离(VSR)应用,实现不同信道更灵活的功耗节省。NRZ 和 PAM4 信号下的数据传输速率从 1G 到 112G,实现背板,直连线缆(DAC),芯片间以及芯片到模块的可靠高速数据传输。

  SerDes IP 采用领先的基于 DSP 的架构,通过最大可能性序列检测(MLSD)和反射抵消技术实现损耗及反射信道的系统稳定。MLSD 技术能优化 BER,提供更强大的突发性错误解决能力。通过专有的实现技术,Cadence 能确保 MLSD 的功耗开销最小。反射消除技术消除了具有实际走线和连接器的产品环境中的杂散、远距离反射,从而提供稳健的 BER 结果。

  3nm 工艺下的 Cadence 112G-ELR SerDes 解决方案进一步强化了我们在高性能互联 IP 领域的领导力,是大规模数据中心的理想选择,客户也可以从 TSMC 的 3nm 工艺中获得更显著的功耗和性能优化,是目前在 PPA 和晶体管领域最先进的技术。

  集微网消息,据台湾新闻媒体报道,台积电董事长张忠谋7月28日赴工商协进会演讲,因鸿海董事长郭台铭宣布投资美国3000亿元,在回答媒体关于台积电是否有意赴美投资的问题,张忠谋表示,“我们投资首选在台湾”,并强调感谢政府的帮助,尤其是科技部长陈良基说政府会以洪荒之力让我们留在台湾,而台积电的愿望也是留在台湾。 对于外界老是说台积电是代工不以为然,他指出台积电是营运模式的创新、是赚钱模式的创新,“成长并不一定需要创新”,并询问听众“鸿海到美国投资一百亿,是创新吗?”。不过,对于鸿海投资美国一事,张忠谋也在会后进一步指出,那是很好的投资,刚刚演讲中指的是一般的投资,而包括台积电的投资在内,都不见得是创新。

  据中国台湾地区经济日报报道,晶圆代工成熟制程产能松动,降价潮来袭。中国台湾地区 IC 设计业者证实,已有中国大陆地区晶圆代工厂降价逾一成,中国台湾晶圆代工厂为避免订单流失,开始在部分特定制程给出“优惠价”,折让约个位数的百分比,相当于变相降价。 中国大陆地区成熟制程指标厂有中芯国际、华虹、晶合、和舰等;中国台湾地区则以联电、世界、力积电为主。 联电将于 7 月 27 日举行法说会,目前处于法说会前缄默期,不评论市场传言尤其是价格动态,强调将在法说会中释出展望。世界将于 8 月 2 日举办法说会,同样处于缄默期。力积电指出,该公司正持续调整产品组合,没有降价规划。 据了解,台积电此前在法说会中精确指出,已看到供应链采取行

  日经新闻报导,随只能手机市场日趋饱和,晶圆代工龙头台积电改攻新兴科技,全力开发人工智能(AI)芯片与高效能运算芯片,紧跟市场趋势。 台积电表示,未来AI需要的制程相当先进,将切入7奈米为主要制程,预估到2020年,将占其近25%营收。 报导指出,台积电共同执行长刘德音4月在法说会上表示,台积电预期2020年起高性能运算芯片将成为成长引擎之一,2020年至2025年市场对高效能运算芯片的需求会真正升温。 刘德音说,在30家预定台积电先进7奈米芯片的客户中,有一半客户打算在高效能运算相关应用中采用这种芯片。 台积电计划在明年开始生产全球第一个7奈米芯片。 外界预期苹果十周年版iPhone将采用台积电10奈米芯片。 刘德音指出,台积电

  日前,台积电工程师泄密事件引起人们广泛关注,半导体产业公司对此也更加谨慎。同时,全球的DRAM内存、NAND闪存主要被三星、SK Hynix、美光、东芝等少数公司垄断,国内尚无厂商有能力染指存储芯片领域,不过该领域慢慢的变成了中国发展半导体产业的突破口。下面就随半导体小编共同来了解一下相关联的内容吧。 长江存储增强公司专利池,严防“泄密贼” 紫光公司收购了武汉新芯公司并在此基础上成立了长江存储科技,发力国产NAND闪存。该公司副总裁高启全日前在采访中表示长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存。 长江存储的背景我们之前的文章中介绍过多次了,高启全先后担任过台积电公司厂商、南亚公司副总、华亚科董事长,被称为台

  6月11日,据经济日报报道,台积电3nm厂在台湾环保署专案小组进行第三次初审,获环评委员建议修正后通过,将送环评大会确认结论。 据了解,台积电计划在新竹科学工业园区设置研发中心,提供3nm制程研发与先期量产,竹科管理局对此提出扩建计划环境影响说明书,今(11)日通过了第三次环评初审,具体结论要等环评大会确认。 台积电3nm厂环评初审顺利通过,将有机会按计划于2022年量产3nm工艺。台积电资深处长庄子寿强调,目前3nm厂已确定落脚南科,未来假设要再进一步作2nm制程,也会留在新竹,以避免高科技人才外流。 庄子寿进一步表示,台积电7nm厂位于中科,也是在山坡地,因为有了7nm建厂经验,所以仍大胆决定在新竹

  据台湾新闻媒体报道,联电近日宣布,将发动企业成立30年来首次私募案。业界揣测,联电将藉此引进新策略伙伴,对象包括整合元件制造厂德仪 (TI)、设备大厂ASML,以及新崛起的同业Global Foundries(GF)等,再次挑战台积电。 半导体产业景气佳,晶圆代工厂联电积极扩产,南科12寸厂第3、4期厂房20日完工启用。联电董事会同时决议,办理12.98亿股额度私募增资案,换算相当公司已发行股数的一成,每股面额10元。以联电前天收盘价计算,最多可募得逾190亿元资金。 联电发言人刘启东坦言,“私募确实为了引进新的战略合作伙伴”,但目前“尚未有任何口袋名单,也没有与任何的对象谈过”。私募案是为了公司长期发展做准备,但也未

  随着投资者准备迎接芯片行业长时间的疲软,台积电自6月中旬以来所损失的市值规模在亚洲排名居首。本轮下跌可能尚未结束。 出于对宏观环境和全球消费电子需求疲软的担忧,台积电股价自6月高点下跌11%,市值蒸发770亿美元(约5500亿人民币)。近几个月,随着交易员争相买入看跌合约,波动率偏斜持续上升显示台积电股价将进一步下跌。 得益于全球AI(AI)热,这家全球最大的芯片代工制造商股价在去年10月到今年6月之间飙升了60%。但交易员已趋于谨慎,对AI热将给公司贡献多少利润持怀疑态度,尤其是在智能手机和个人电脑业务没有回升的情况下。就连高端AI芯片订单的放缓速度也快于预期。 摩根大通分析师Gokul Hariharan等人近

  悬赏1000元,求一个清空BIOS,点亮键盘灯的代码,如果能进行内存测试和启动显卡,悬赏更高!,邮箱,电话:重要申明:-------------留言须知回复本贴,希望您:1,至少做过编写从实模式到保护模式代码,能够在保护模式下实现键盘鼠标中断响应的工作.2,对BIOS有深入研究,做过清空BIOS,并自编部分代码的工作.3,只需要您开机接通电源后点亮键盘灯,并无须实现按键响应,实现按键响应的工作本

  不得不用官方的IDE了,官网登了几次账号锁了,哪位同学之前下了MCUXpresso给个云盘链接,我这边平时不方便上网加上官网速度太慢。谢谢【KW41Z】求MCUXpresso的云盘链接

  tps767d318输出正常但是3秒后即成高温状态,请问可能的问题即解决方案

  如果是电路问题,请问正确的电路该怎么样?若能的线秒后即成高温状态,请问可能的问题即解决方案

  vxworks系统上,有这样一个程序,需要修改一个网络文件,由于程序可能在多个cpu上同时运行,这样就会出现多个cpu并发访问一个网络文件的情况,请问怎么实现多个cpu的互斥访问?谢谢求教:网络文件互斥访问

  u-boot和内核都已经启动,加载文件系统报错,U-BootSPL2013.01.01-00123-g2830d15-dirty(Dec102014-15:44:46)musb-hdrc:ConfigData=0xde(UTMI-8,dynFIFOs,bulkcombine,bulksplit,HB-ISORx,HB-ISOTx,SoftConn)musb-hdrc:MHDRCRTLversion2.0musb-hdrc:setupf

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  过去的一年,受疫情后经济恢复没有到达预期、需求疲软等多重因素影响,全球半导体产业遭遇周期低谷,行业究竟何时能踏入周期上行阶段成为绝大多 ...

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  台积电首提 1nm A10 工艺,计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装

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