国家存储器基地项目二期开工了

  国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

  该项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层三维闪存芯片。

  6月17日，湖北省委书记应勇和湖北省委副书记、省长王晓东与紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国座谈交流。应勇指出，国家存储器基地项目是湖北、武汉的重大战略项目，技术领先、前景广阔，希望紫光集团立足武汉、深耕湖北，在保持研发技术一马当先的优势的同时，加强市场开拓，扩大产能规模，推动项目一期尽早达产和项目二期加快建设。

  在国家存储器基地项目二期开工仪式上，王晓东表示，国家存储器基地项目二期开工，是落实中央支持湖北一揽子政策的具体行动，也是强化湖北疫后重振重点项目支撑的有力举措，必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”，为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。

  赵伟国表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

  摘要：通过一个完整的实例，详细阐述了TMS320C54x系列DSP芯片在线烧写FLASH存储器。并实现自举引导的方法。给出了硬件连接方案和完整的C语言烧写程序。 关键词：TMS320C54x FLASH 烧写 自举引导 在DSP系统中通常贴片式FLASH存储器保存程序，并且在上电或复位时再将存储在FLASH中的程序搬移到DSP片内或者片外的RAM中全速运行。这个“程序搬移”的过程叫做自举加载。 本文以TMS320C5416 DSP对MBM29LV400BC存储器的操作为例，详细阐述了在线烧写FLASH并实现自举加载的方法。该方法适合于大多数C54x系列DSP对符合JEDEC标准的FLASH的操作。为便于读者使用，本文的程序

  Sankei Biz 8日报导 ，关于东芝(Toshiba)半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」出售案，东芝和被选为优先交涉对象的日美韩联盟签订契约的时间有可能将延至8月以后，而这还在于日美韩联盟面临「内忧(SK Hynix)外患(Western Digital(WD))」所致。 东芝关系的人偷偷表示，「因有人改变意见，让情势变得复杂、麻烦。 调整速度缓慢」。 东芝原先是计划要在6月28日和日美韩联盟签订契约、不过该计划未能实现。 东芝于6月28日表示，「因和日美韩联盟内多个当事者之间的调整仍需时间、因此现阶段尚未达成共识」。 报导指出，为了尽最大可能避免抵触独占禁止法，身为T

  四个驱动单元：context-M3内核的D-bus总线和S-bus总线。 四个被驱动的单元：内部FLASH（内部山村存储器）、内部SRAM、FSMC、AHB到APB的桥AHP2APBx。 ICode总线与内部闪存FLASH指令接口之间的连接的总线，实现指令的预取功能。 DCode总线是将context-M3与内部闪存存储器（FLASH）的数据接口连接起来的总线，实现数据读取。 系统总线（system bus）连接context-M3和总线矩阵，总线矩阵协调着context-M3和DMA间的访问。 DMA总线实现DMA的AHB主控接口道总线接口的连接。 总线矩阵 此总线矩阵协调内

  近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT－MRAM）器件。 STT－MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，有很大的可能性在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100％的垄断。 微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3年的艰苦攻关，在STT－MRAM关键工艺技术探讨研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm磁隧道结，器件性能好，其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92％，可实现纯电

  ATmega168的 I/O P311“ 寄存器概述 ” 。 ATmega168 的所有 I/O 和外设都被放置在 I/O 空间。 所有的 I/O地址都能够最终靠LD/LDS/LDD和ST/STS/STD指令来访问，在32个通用工作寄存器和I/O之间传输数据。 地址为0x00 - 0x1F的I/O寄存器还可用SBI和CBI指令直接进行位寻址，而SBIS和SBIC则用来检查单个位置位与否。使用 IN 和 OUT 指令时地址必须在 0x00 - 0x3F之间。如果要象 SRAM 一样通过 LD 和 ST 指令访问 I/O 寄存器，相应的地址要加上 0x20。 ATmega168 是一个复杂的微处理器，其支持的外设要比预留的 64 个 I

  摘要 通过对高性能浮点DSP处理器TMS320C32的外部存储器接口的研究，介绍其存储器结构的特点，并根据其特点给出3种设计的具体方案。这3种不同的方案，分别能轻松实现3种宽度的存储器接口，即8位、16位和32位的外部数据访问或是16位和32住的外部程序访问。这一特点使得TMS320C32芯片很适合于时变系统的控制与处理。 关键词 TMS320C32 浮点DSP处理器 存储器接口 存储器宽度 TMS320C32是美国TI公司生产的一款浮点数字信号处理器(DSP)，其CPU是在TMS320C30和TMS320C3l的基础上进行改进和简化来的，是C3X系列中的增强版。增强的功能有：可变宽度的存储器接口，更快的指令周期，节

  接口 /

  嵌入式应用中经常会遇到需要保存一些数据比如选项和设置等等，为了在设备关机或掉电情况下数据不丢失，我们会讲数据保存在EEPROM里面。STM32系列MCU已经被广泛的使用，可是该芯片内没有EEPROM。如果外接一片EEPRM会增加硬件成本。 本文将以STM32F0为例介绍一种使用片内Flash替代EEPROM的方法，仅供各位参考。 STM32F0芯片内部Flash页尺寸为1k。 首先程序需要用STMicroelectronics提供的标准外设库中的stm32f0xx_flash.h。如下： #include stm32f0xx_flash.h //定义常量 (以STM32F051R8为例) #define FLASH_PAGE_

  据韩联社6月30日报道，根据韩联社旗下金融机构Yonhap Infomax对当地13家券商进行的调查显示，分析师平均预期，SK海力士第二季销售额预估可达8.29万亿韩元（约合69亿美元），比去年同期增长28.6%；而盈利预计将达1.7万亿韩元，同比增166%。 多位分析师指出，今年以来由于疫情的全球大流行，催生远程办公热潮以及宅经济，带动对存储器芯片需求大增，服务器及PC DRAM芯片的合约价也随之走高。 服务器和PC DRAM芯片为SK海力士的主力产品，占该公司DRAM总销售额的55%。现代汽车证券分析师No Geun-chang指出，服务器与PC DRAM合约价格，各较前一季上扬20%与14%，这将有利于该公司Q2

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